Многослойная память требует минимум энергии

Группа исследователей из России и Франции во главе с Никола Терселеном и В.Л. Преображенским разработала материал, который значительно сократит энергозатраты при записи и считывании информации, - магнитоэлектрическое запоминающее устройство с произвольным доступом (magnetoelectric random access memory, MELRAM). По данным ученых, запись или считывание 1 бита информации будет требовать 1 аттоджоуля энергии, что в разы меньше нынешней энергопотребности запоминающих устройств.

Кроме того, носители, изготовленные из этого материала, потенциально могут решить еще одну проблему: в нынешних носителях теряется 99 % потребляемой энергии в виде тепла. Современные технологии позволяют разместить в крохотном чипе миллиарды транзисторов, однако в какой-то момент размещение большего числа триодов для большей эффективности станет невозможным - именно за счет дополнительного, нежелательного выделения тепла.

Суть открытия - в комбинации магнитоэлектрической и пьезоэлектрической части материала. Магнитоэлектрик представлен сочетанием оксида тербия с оксидом кобальта и оксида железа с оксидом кобальта; несколько перемежающихся слоев такого магнитоэлектрика накладываются на сегнетоэлектрический релаксор (оксид свинца-магния-ниобия, известный чрезвычайно широкой областью фазового перехода), который имеет свойство менять форму под внешним воздействием.

Как утверждает доктор физико-математических наук В.Л. Преображенский из Института общей физики имени Прохорова, магнитоэлектрически-пьезоэлектрический многослойный материал обеспечивает значительное магнитоэлектрическое взаимодействие при комнатной температуре, что и позволяет сильно сократить затраты энергии.

http://xn--80abucjiibhv9a.xn--p1ai/%D0%BF%D1%80%D0%B5%D1%81%D1%81-%D1%86%D0%B5%D0%BD%D1%82%D1%80/102...